File:Gems "Самоцвіти".png

From Wikimedia Commons, the free media repository
Jump to navigation Jump to search

Original file(2,560 × 1,920 pixels, file size: 10.14 MB, MIME type: image/png)

Captions

Captions

Surface image of porous indium phosphide synthesised on the surface of a single crystal with surface orientation (111) by electrochemical etching in a hydrofluoric acid solution.

Summary

[edit]
Description
Українська: Зображення поверхні поруватого фосфіду індію, синтезованого на поверхні монокристалу з орієнтацією поверхні (111) методом електрохімічного травлення у розчині плавикової кислоти.

Зображення було отримано на мікроскопі JSM-6490 дослідниками Бердянського державного педагогічного університету. Кольорова обробка виконана за допомогою графічного редактора Adobe Photoshop. Мікрофотографія має значну наукову цінність. Квіткоподібні структури, що мають вигляд самоцвітів, – це оксиди індію, що сформувалися на поверхні наноструктури під час електрохімічної обробки та після її завершення. Утворення оксидних кристалітів свідчить про наявність активних поверхневих станів. Можемо спостерігати смугастий розподіл пор. Пори ростуть не по всій поверхні кристалу, а смугами. Таке цікаве явище обумовлено нерівномірністю розподілу домішки і має назву сегрегації. Поява смуг сегрегації пов’язана з технологією вирощування кристалів за методом Чохральського та є доволі поширеним явищем. Ми спостерігаємо смуги у поздовжній площині, однак відповідні неоднорідності розподілу домішки існують в обох вимірах і залежать від режимів вирощування кристала. Фізично смугастість можна пояснити наявністю далекодіючих напружень, що виникають на межі розплаву і твердої сформованої фази напівпровідника. Композиційна неоднорідність по суті може розглядатися як нерівномірність розподілу домішки, вона є причиною виникнення дислокацій кристалічної гратки. Слід зауважити, що дослідження смуг сегрегації є важливою технологічною задачею. Та не завжди такі смуги легко виявити. Електрохімічне травлення напівпровідника у селективному розчиннику є багатообіцяючим та надійним методом спостереження композиційної досконалості кристалів.

Автори роботи Яна Сичікова (синтез наноструктур) та Сергій Ковачов (кольоровий дизайн).
English: Surface image of porous indium phosphide synthesised on the surface of a single crystal with surface orientation (111) by electrochemical etching in a hydrofluoric acid solution.

The image was obtained on a JSM-6490 microscope by researchers of Berdyansk State Pedagogical University. Colour processing was performed with the help of Adobe Photoshop. This micrography presents significant scientific value. The flower-like structures that look like gems are indium oxides formed on the surface of the nanostructure during electrochemical treatment and after its completion. The formation of oxide crystallites indicates the presence of active surface states. We can observe a striped pore distribution. The pores grow in streaks instead of covering the entire surface of the crystal. This outstanding phenomenon called segregation appears due to the uneven distribution of impurities. The appearance of segregation streaks is associated with the quite popular technology of growing crystals using the Chokhralsky method. We can see streaks in the longitudinal plane, but there are corresponding inhomogeneities of the impurity distribution in both dimensions, they hinge on the crystal growth modes. Physically, the streaks can be explained by the presence of long-range stresses that occur at the interface between the melt and the solid-formed semiconductor's phase. Compositional heterogeneity can be considered as an uneven distribution of impurities resulting in dislocations of the crystal lattice. It should be noted that the study of segregation streaks is a priority technological task. But such streaks are not always easy to detect. Electrochemical etching of a semiconductor in a selective solvent is a promising and reliable method for observing the compositional perfection of crystals.

Its authors are Yana Sychikova (synthesis of nanostructures) and Serhii Kovachov (colour design).
English: Gems NanoArt.Surface image of porous indium phosphide synthesised on the surface of a single crystal with surface orientation (111) by electrochemical etching in a hydrofluoric acid solution.
Date
Source Own work
Author Яна Сычикова

Licensing

[edit]
I, the copyright holder of this work, hereby publish it under the following license:
w:en:Creative Commons
attribution
This file is licensed under the Creative Commons Attribution 4.0 International license.
You are free:
  • to share – to copy, distribute and transmit the work
  • to remix – to adapt the work
Under the following conditions:
  • attribution – You must give appropriate credit, provide a link to the license, and indicate if changes were made. You may do so in any reasonable manner, but not in any way that suggests the licensor endorses you or your use.
This image was uploaded as part of Science Photo Competition 2020 in Ukraine.

File history

Click on a date/time to view the file as it appeared at that time.

Date/TimeThumbnailDimensionsUserComment
current20:51, 23 November 2020Thumbnail for version as of 20:51, 23 November 20202,560 × 1,920 (10.14 MB)Yana Sychikova (talk | contribs)Uploaded own work with UploadWizard

There are no pages that use this file.

Metadata